BSM180D12P2E002

မှတ်ချက်: ROHM Semiconductor BSM180D12P2E002 ကို chipnets.com တွင် ရနိုင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အသစ်&မူရင်း အပိုင်းကိုသာ ရောင်းချပြီး အာမခံ ၁ နှစ် အချိန်ပေးပါသည်။ ထုတ်ကုန်များအကြောင်း ပိုမိုသိရှိလိုပါက သို့မဟုတ် ပိုမိုပိုမိုကောင်းမွန်သောစျေးနှုန်းကို လျှောက်ထားလိုပါက၊ ကျေးဇူးပြု၍ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ အွန်လိုင်းစကားပြောခန်းကို နှိပ်ပါ သို့မဟုတ် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ကိုးကားပေးပို့ပါ။

အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများအားလုံးကို ESD antistatic ကာကွယ်မှုဖြင့် အလွန်လုံခြုံစွာ ထုပ်ပိုးထားမည်ဖြစ်သည်။

package

သတ်မှတ်ချက်

ရိုက်ပါ။	ဖော်ပြချက်
စီးရီး	-
အထုပ်	Bulk
အပိုင်းအခြေအနေ	Active
FET အမျိုးအစား	2 N-Channel (Half Bridge)
အင်္ဂါရပ် FET	Silicon Carbide (SiC)
အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး	1200V (1.2kV)
လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id)	204A (Tc)
အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS	-
Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id	4V @ 35.2mA
Vgs @ ဂိတ်တာဝန်ခံ (Qg) (မက်စ်)	-
Vds @ Input Capacitance (Ciss) (မက်စ်)	18000pF @ 10V
ပါဝါ - မက်စ်	1360W (Tc)
Operating အပူချိန်	-40°C ~ 150°C (TJ)
mounting အမျိုးအစား	Chassis Mount
အထုပ် / ဖြစ်ရပ်မှန်	Module
ပေးသွင်းပစ္စည်းကိရိယာအထုပ်	Module

ရွေးချယ်စရာများ

စတော့ အဆင့်အတန်း: 8

အနိမ့်ဆုံး: 1

အရေအတွက်	တစ်ခုချင်းစျေးနှုန်း	Ext စျေးနှုန်း
စျေးနှုန်းမရရှိနိုင်ပါ၊ ကျေးဇူးပြု၍ RFQ

ကုန်စည်ပို့ဆောင်ခတွက်ချက်

FedEx မှ US$40

3-5 ရက်အတွင်းရောက်ရှိ

အမြန်-(FEDEX၊ UPS၊ DHL၊ TNT) $150 အထက်မှာယူသူများအတွက် ပထမဆုံး 0.5kg အခမဲ့ ပို့ဆောင်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး အလေးချိန်ပိုပါက သီးခြားကောက်ခံပါမည်။

လူကြိုက်များသော မော်ဒယ်များ

ဤအရာကို သင့်စျေးဝယ်လှည်းသို့ ပေါင်းထည့်လိုက်ပါပြီ။