CSD85312Q3E

မှတ်ချက်: Texas Instruments CSD85312Q3E ကို chipnets.com တွင် ရနိုင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အသစ်&မူရင်း အပိုင်းကိုသာ ရောင်းချပြီး အာမခံ ၁ နှစ် အချိန်ပေးပါသည်။ ထုတ်ကုန်များအကြောင်း ပိုမိုသိရှိလိုပါက သို့မဟုတ် ပိုမိုပိုမိုကောင်းမွန်သောစျေးနှုန်းကို လျှောက်ထားလိုပါက၊ ကျေးဇူးပြု၍ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ အွန်လိုင်းစကားပြောခန်းကို နှိပ်ပါ သို့မဟုတ် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ကိုးကားပေးပို့ပါ။

အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများအားလုံးကို ESD antistatic ကာကွယ်မှုဖြင့် အလွန်လုံခြုံစွာ ထုပ်ပိုးထားမည်ဖြစ်သည်။

package

သတ်မှတ်ချက်

ရိုက်ပါ။	ဖော်ပြချက်
စီးရီး	NexFET™
အထုပ်	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
အပိုင်းအခြေအနေ	Active
FET အမျိုးအစား	2 N-Channel (Dual) Common Source
အင်္ဂါရပ် FET	Logic Level Gate, 5V Drive
အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး	20V
လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id)	39A
အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS	12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id	1.4V @ 250µA
Vgs @ ဂိတ်တာဝန်ခံ (Qg) (မက်စ်)	15.2nC @ 4.5V
Vds @ Input Capacitance (Ciss) (မက်စ်)	2390pF @ 10V
ပါဝါ - မက်စ်	2.5W
Operating အပူချိန်	-55°C ~ 150°C (TJ)
mounting အမျိုးအစား	Surface Mount
အထုပ် / ဖြစ်ရပ်မှန်	8-PowerVDFN
ပေးသွင်းပစ္စည်းကိရိယာအထုပ်	8-VSON (3.3x3.3)

ရွေးချယ်စရာများ

စတော့ အဆင့်အတန်း: 3607

အနိမ့်ဆုံး: 1

အရေအတွက်	တစ်ခုချင်းစျေးနှုန်း	Ext စျေးနှုန်း
စျေးနှုန်းမရရှိနိုင်ပါ၊ ကျေးဇူးပြု၍ RFQ

ကုန်စည်ပို့ဆောင်ခတွက်ချက်

FedEx မှ US$40

3-5 ရက်အတွင်းရောက်ရှိ

အမြန်-(FEDEX၊ UPS၊ DHL၊ TNT) $150 အထက်မှာယူသူများအတွက် ပထမဆုံး 0.5kg အခမဲ့ ပို့ဆောင်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး အလေးချိန်ပိုပါက သီးခြားကောက်ခံပါမည်။

လူကြိုက်များသော မော်ဒယ်များ

ဤအရာကို သင့်စျေးဝယ်လှည်းသို့ ပေါင်းထည့်လိုက်ပါပြီ။