R6030JNZ4C13

မှတ်ချက်: ROHM Semiconductor R6030JNZ4C13 ကို chipnets.com တွင် ရနိုင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အသစ်&မူရင်း အပိုင်းကိုသာ ရောင်းချပြီး အာမခံ ၁ နှစ် အချိန်ပေးပါသည်။ ထုတ်ကုန်များအကြောင်း ပိုမိုသိရှိလိုပါက သို့မဟုတ် ပိုမိုပိုမိုကောင်းမွန်သောစျေးနှုန်းကို လျှောက်ထားလိုပါက၊ ကျေးဇူးပြု၍ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ အွန်လိုင်းစကားပြောခန်းကို နှိပ်ပါ သို့မဟုတ် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ကိုးကားပေးပို့ပါ။

အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများအားလုံးကို ESD antistatic ကာကွယ်မှုဖြင့် အလွန်လုံခြုံစွာ ထုပ်ပိုးထားမည်ဖြစ်သည်။

package

သတ်မှတ်ချက်

ရိုက်ပါ။	ဖော်ပြချက်
စီးရီး	-
အထုပ်	Tube
အပိုင်းအခြေအနေ	Active
FET အမျိုးအစား	N-Channel
နည်းပညာ	MOSFET (Metal Oxide)
အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး	600 V
လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id)	30A (Tc)
Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On)	15V
အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS	143mOhm @ 15A, 15V
Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id	7V @ 5.5mA
Vgs @ ဂိတ်တာဝန်ခံ (Qg) (မက်စ်)	74 nC @ 15 V
Vgs (မက်စ်)	±30V
Vds @ Input Capacitance (Ciss) (မက်စ်)	2500 pF @ 100 V
အင်္ဂါရပ် FET	-
ပါဝါဖြုန်းတီးခြင်း (မက်စ်)	370W (Tc)
Operating အပူချိန်	-55°C ~ 150°C (TJ)
mounting အမျိုးအစား	Through Hole
ပေးသွင်းပစ္စည်းကိရိယာအထုပ်	TO-247G
အထုပ် / ဖြစ်ရပ်မှန်	TO-247-3

ရွေးချယ်စရာများ

စတော့ အဆင့်အတန်း: 600

အနိမ့်ဆုံး: 1

အရေအတွက်	တစ်ခုချင်းစျေးနှုန်း	Ext စျေးနှုန်း
စျေးနှုန်းမရရှိနိုင်ပါ၊ ကျေးဇူးပြု၍ RFQ

ကုန်စည်ပို့ဆောင်ခတွက်ချက်

FedEx မှ US$40

3-5 ရက်အတွင်းရောက်ရှိ

အမြန်-(FEDEX၊ UPS၊ DHL၊ TNT) $150 အထက်မှာယူသူများအတွက် ပထမဆုံး 0.5kg အခမဲ့ ပို့ဆောင်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး အလေးချိန်ပိုပါက သီးခြားကောက်ခံပါမည်။

လူကြိုက်များသော မော်ဒယ်များ

ဤအရာကို သင့်စျေးဝယ်လှည်းသို့ ပေါင်းထည့်လိုက်ပါပြီ။