SIHB22N60AEL-GE3

ထုတ်လုပ်သူ အပိုင်းနံပါတ်:	SIHB22N60AEL-GE3
ထုတ်လုပ်သူ:	Vishay / Siliconix
ဖော်ပြချက်အပိုင်း:	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
အချက်အလက်စာရွက်များ:	SIHB22N60AEL-GE3 အချက်အလက်စာရွက်များ
အခမဲ့အခြေအနေ / RoHS အခြေအနေ:	ခဲအခမဲ့ / RoHS လိုက်နာမှု
Stock Condition:	ကုန်ပစ္စည်းလက်ဝယ်ရှိ
သင်္ဘောမှ:	Hong Kong
ပို့ဆောင်ရေးလမ်းကြောင်း:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

မှတ်ချက်: Vishay / Siliconix SIHB22N60AEL-GE3 ကို chipnets.com တွင် ရနိုင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အသစ်&မူရင်း အပိုင်းကိုသာ ရောင်းချပြီး အာမခံ ၁ နှစ် အချိန်ပေးပါသည်။ ထုတ်ကုန်များအကြောင်း ပိုမိုသိရှိလိုပါက သို့မဟုတ် ပိုမိုပိုမိုကောင်းမွန်သောစျေးနှုန်းကို လျှောက်ထားလိုပါက၊ ကျေးဇူးပြု၍ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ အွန်လိုင်းစကားပြောခန်းကို နှိပ်ပါ သို့မဟုတ် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ကိုးကားပေးပို့ပါ။

အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများအားလုံးကို ESD antistatic ကာကွယ်မှုဖြင့် အလွန်လုံခြုံစွာ ထုပ်ပိုးထားမည်ဖြစ်သည်။

package

သတ်မှတ်ချက်

ရိုက်ပါ။	ဖော်ပြချက်
စီးရီး	EL
အထုပ်	Tube
အပိုင်းအခြေအနေ	Obsolete
FET အမျိုးအစား	N-Channel
နည်းပညာ	MOSFET (Metal Oxide)
အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး	600 V
လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id)	21A (Tc)
Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On)	10V
အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS	180mOhm @ 11A, 10V
Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id	4V @ 250µA
Vgs @ ဂိတ်တာဝန်ခံ (Qg) (မက်စ်)	82 nC @ 10 V
Vgs (မက်စ်)	±30V
Vds @ Input Capacitance (Ciss) (မက်စ်)	1757 pF @ 100 V
အင်္ဂါရပ် FET	-
ပါဝါဖြုန်းတီးခြင်း (မက်စ်)	208W (Tc)
Operating အပူချိန်	-55°C ~ 150°C (TJ)
mounting အမျိုးအစား	Surface Mount
ပေးသွင်းပစ္စည်းကိရိယာအထုပ်	D²PAK (TO-263)
အထုပ် / ဖြစ်ရပ်မှန်	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ရွေးချယ်စရာများ

စတော့ အဆင့်အတန်း: 100

အနိမ့်ဆုံး: 1

အရေအတွက်	တစ်ခုချင်းစျေးနှုန်း	Ext စျေးနှုန်း
စျေးနှုန်းမရရှိနိုင်ပါ၊ ကျေးဇူးပြု၍ RFQ

ကုန်စည်ပို့ဆောင်ခတွက်ချက်

FedEx မှ US$40

3-5 ရက်အတွင်းရောက်ရှိ

အမြန်-(FEDEX၊ UPS၊ DHL၊ TNT) $150 အထက်မှာယူသူများအတွက် ပထမဆုံး 0.5kg အခမဲ့ ပို့ဆောင်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး အလေးချိန်ပိုပါက သီးခြားကောက်ခံပါမည်။

လူကြိုက်များသော မော်ဒယ်များ

ဤအရာကို သင့်စျေးဝယ်လှည်းသို့ ပေါင်းထည့်လိုက်ပါပြီ။