SCTW90N65G2V

မှတ်ချက်: STMicroelectronics SCTW90N65G2V ကို chipnets.com တွင် ရနိုင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အသစ်&မူရင်း အပိုင်းကိုသာ ရောင်းချပြီး အာမခံ ၁ နှစ် အချိန်ပေးပါသည်။ ထုတ်ကုန်များအကြောင်း ပိုမိုသိရှိလိုပါက သို့မဟုတ် ပိုမိုပိုမိုကောင်းမွန်သောစျေးနှုန်းကို လျှောက်ထားလိုပါက၊ ကျေးဇူးပြု၍ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ အွန်လိုင်းစကားပြောခန်းကို နှိပ်ပါ သို့မဟုတ် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ကိုးကားပေးပို့ပါ။

အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများအားလုံးကို ESD antistatic ကာကွယ်မှုဖြင့် အလွန်လုံခြုံစွာ ထုပ်ပိုးထားမည်ဖြစ်သည်။

package

သတ်မှတ်ချက်

ရိုက်ပါ။	ဖော်ပြချက်
စီးရီး	-
အထုပ်	Tube
အပိုင်းအခြေအနေ	Active
FET အမျိုးအစား	N-Channel
နည်းပညာ	SiCFET (Silicon Carbide)
အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး	650 V
လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id)	90A (Tc)
Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On)	18V
အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS	25mOhm @ 50A, 18V
Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id	5V @ 250µA
Vgs @ ဂိတ်တာဝန်ခံ (Qg) (မက်စ်)	157 nC @ 18 V
Vgs (မက်စ်)	+22V, -10V
Vds @ Input Capacitance (Ciss) (မက်စ်)	3300 pF @ 400 V
အင်္ဂါရပ် FET	-
ပါဝါဖြုန်းတီးခြင်း (မက်စ်)	390W (Tc)
Operating အပူချိန်	-55°C ~ 200°C (TJ)
mounting အမျိုးအစား	Through Hole
ပေးသွင်းပစ္စည်းကိရိယာအထုပ်	HiP247™
အထုပ် / ဖြစ်ရပ်မှန်	TO-247-3

ရွေးချယ်စရာများ

စတော့ အဆင့်အတန်း: 551

အနိမ့်ဆုံး: 1

အရေအတွက်	တစ်ခုချင်းစျေးနှုန်း	Ext စျေးနှုန်း
စျေးနှုန်းမရရှိနိုင်ပါ၊ ကျေးဇူးပြု၍ RFQ

ကုန်စည်ပို့ဆောင်ခတွက်ချက်

FedEx မှ US$40

3-5 ရက်အတွင်းရောက်ရှိ

အမြန်-(FEDEX၊ UPS၊ DHL၊ TNT) $150 အထက်မှာယူသူများအတွက် ပထမဆုံး 0.5kg အခမဲ့ ပို့ဆောင်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး အလေးချိန်ပိုပါက သီးခြားကောက်ခံပါမည်။

လူကြိုက်များသော မော်ဒယ်များ

	SCTWA30N120 STMicroelectronics
	SCTWA10N120 STMicroelectronics
	SCTW90N65G2V STMicroelectronics
	SCTWA35N65G2VAG STMicroelectronics
	SCTWA20N120 STMicroelectronics
	SCTW70N120G2V STMicroelectronics
	SCTWA50N120 STMicroelectronics
	SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics
	SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics
	SCTW100N65G2AG STMicroelectronics

ဤအရာကို သင့်စျေးဝယ်လှည်းသို့ ပေါင်းထည့်လိုက်ပါပြီ။