G3R40MT12D

မှတ်ချက်: GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D ကို chipnets.com တွင် ရနိုင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အသစ်&မူရင်း အပိုင်းကိုသာ ရောင်းချပြီး အာမခံ ၁ နှစ် အချိန်ပေးပါသည်။ ထုတ်ကုန်များအကြောင်း ပိုမိုသိရှိလိုပါက သို့မဟုတ် ပိုမိုပိုမိုကောင်းမွန်သောစျေးနှုန်းကို လျှောက်ထားလိုပါက၊ ကျေးဇူးပြု၍ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ အွန်လိုင်းစကားပြောခန်းကို နှိပ်ပါ သို့မဟုတ် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ကိုးကားပေးပို့ပါ။

အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများအားလုံးကို ESD antistatic ကာကွယ်မှုဖြင့် အလွန်လုံခြုံစွာ ထုပ်ပိုးထားမည်ဖြစ်သည်။

package

သတ်မှတ်ချက်

ရိုက်ပါ။	ဖော်ပြချက်
စီးရီး	G3R™
အထုပ်	Tube
အပိုင်းအခြေအနေ	Active
FET အမျိုးအစား	N-Channel
နည်းပညာ	SiCFET (Silicon Carbide)
အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး	1200 V
လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id)	71A (Tc)
Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On)	15V
အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS	48mOhm @ 35A, 15V
Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id	2.69V @ 10mA
Vgs @ ဂိတ်တာဝန်ခံ (Qg) (မက်စ်)	106 nC @ 15 V
Vgs (မက်စ်)	±15V
Vds @ Input Capacitance (Ciss) (မက်စ်)	2929 pF @ 800 V
အင်္ဂါရပ် FET	-
ပါဝါဖြုန်းတီးခြင်း (မက်စ်)	333W (Tc)
Operating အပူချိန်	-55°C ~ 175°C (TJ)
mounting အမျိုးအစား	Through Hole
ပေးသွင်းပစ္စည်းကိရိယာအထုပ်	TO-247-3
အထုပ် / ဖြစ်ရပ်မှန်	TO-247-3

ရွေးချယ်စရာများ

စတော့ အဆင့်အတန်း: 281

အနိမ့်ဆုံး: 1

အရေအတွက်	တစ်ခုချင်းစျေးနှုန်း	Ext စျေးနှုန်း
စျေးနှုန်းမရရှိနိုင်ပါ၊ ကျေးဇူးပြု၍ RFQ

ကုန်စည်ပို့ဆောင်ခတွက်ချက်

FedEx မှ US$40

3-5 ရက်အတွင်းရောက်ရှိ

အမြန်-(FEDEX၊ UPS၊ DHL၊ TNT) $150 အထက်မှာယူသူများအတွက် ပထမဆုံး 0.5kg အခမဲ့ ပို့ဆောင်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး အလေးချိန်ပိုပါက သီးခြားကောက်ခံပါမည်။

လူကြိုက်များသော မော်ဒယ်များ

	G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor
	G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor
	G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor
	G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor
	G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor
	G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor
	G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor

ဤအရာကို သင့်စျေးဝယ်လှည်းသို့ ပေါင်းထည့်လိုက်ပါပြီ။